Твердотельный накопитель SSD 1Tb Samsung 990 PRO M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 4.0 x4) (R7450/W6900MB/s) with Heatsink

Предзаказ

Твердотельный накопитель SSD 1Tb Samsung 990 PRO M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 4.0 x4) (R7450/W6900MB/s) with Heatsink

Name: Твердотельный накопитель SSD 1Tb Samsung 990 PRO M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 4.0 x4) (R7450/W6900MB/s) with Heatsink
SKU: mz-v9p1t0cw
Price: 12920.0 RUR
Availability: InStock

Цена:

В наличии на складе: 110 штук

В корзине шт Перейти

Нет в наличии

Купить в 1 клик

Внутренний твердотельный накопитель Samsung 990 PRO PCIe 4.0 x4 M.2 емкостью 1 ТБ, созданный с использованием 3-разрядной флэш-технологии V-NAND MLC и собственного контроллера, предлагает форм-фактор M.2 2280 и интерфейс PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 для обеспечения скорости последовательного чтения до 7450 МБ/с и скорости последовательной записи до 6900 МБ/с. Пользователи также будут иметь доступ к шифрованию через TCG/Opal 2.0 и MS eDrive, в то время как рейтинг TBW (общее количество записанных байтов) 600 ТБ помогает обеспечить длительный срок службы.

Максимальная скорость

Обеспечьте скорость последовательного чтения до 7450 МБ/с и скорость последовательной записи до 6900 МБ/с с 990 PRO и раздвиньте границы возможностей твердотельных накопителей. 990 PRO работает на собственном контроллере Samsung, который разработан для гармонизации компонентов флэш-памяти и интерфейса для повышения скорости, с интерфейсом PCIe 4.0, который в два раза быстрее, чем твердотельные накопители PCIe 3.0, поэтому каждый компонент этого твердотельного накопителя NVMe 2.0 изготовлен Samsung для обеспечения длительной производительности.

Энергоэффективная производительность

Потребляйте меньше энергии и получайте больше производительности. Оцените улучшенную производительность на ватт, а также оптимальную энергоэффективность с максимальной производительностью PCIe 4.0.

Создатель чемпионов

Более чем на 55% улучшенная производительность случайного сканирования обеспечивает более быструю загрузку и невероятные игровые возможности в играх для PS5 и DirectStorage для ПК.

Эффективный твердотельный накопитель M.2

990 PRO выпускается в компактном форм-факторе M.2 2280, который можно легко установить в настольные компьютеры и ноутбуки. Благодаря своим размерам и оптимизированной энергоэффективности он идеально подходит для сборки высокопроизводительных компьютеров.

Интеллектуальное тепловое решение

Собственный высококлассный контроллер Samsung с никелевым покрытием обеспечивает эффективный термоконтроль и предотвращает внезапные падения производительности из-за перегрева.

Программное обеспечение Samsung Magician

Раскройте весь потенциал 990 PRO с помощью передовых, но интуитивно понятных инструментов оптимизации от Samsung Magician. Отслеживайте состояние накопителей, оптимизируйте производительность, защищайте ценные данные и получайте важные обновления с помощью Magician, чтобы всегда получать максимальную производительность от вашего SSD.

Емкость хранилища 1 ТБ
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
Последовательное чтение со скоростью до 7450 МБ/с
Последовательная запись со скоростью до 6900 МБ/с
До 600 ТБ TBW (общее количество записанных байт)
Флэш-технология Samsung V-NAND
256-битное шифрование AES

Описание

Код модели (емкость)

MZ-V9P1T0CW (1 ТБ)
MZ-V9P1T0GW (1 ТБ)
MZ-V9P2T0CW (2 ТБ)
MZ-V9P2T0GW (2 ТБ)
MZ-V9P4T0CW (4 ТБ)
MZ-V9P4T0GW (4 ТБ)

Общая характеристика

Применение

Клиентские ПК, игровые консоли
Форм-фактор

М.2 (2280)
ИНТЕРФЕЙС
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
РАЗМЕРЫ (ШхВхГ)
80,15 x 25 x 8,88 мм (с радиатором)
ВЕС
Макс 28,0 г Вес
Основная память
Samsung V-NAND 3-битный TLC
КОНТРОЛЛЕР
Собственный контроллер Samsung
КЭШ-ПАМЯТЬ
Память DDR4 SDRAM Samsung 1 ГБ с низким энергопотреблением (1 ТБ)
Память DDR4 SDRAM 2 ГБ с низким энергопотреблением (2 ТБ)
Память DDR4 SDRAM с низким энергопотреблением Samsung 4 ГБ (4 ТБ)

Особенности

Поддержка TRIM
Да
Поддержка S.M.A.R.T
Да
GC (СБОРКА МУСОРА)
Алгоритм автоматической сборки мусора
ПОДДЕРЖКА ШИФРОВАНИЯ
256-битное шифрование AES (класс 0) TCG/Opal
IEEE1667 (зашифрованный диск)
ПОДДЕРЖКА WWN
Не поддерживается
ПОДДЕРЖКА СПЯЩЕГО РЕЖИМА УСТРОЙСТВА
Да

Производительность

ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ЧТЕНИЕ
1 ТБ: до 7 450 МБ/с
2 ТБ: до 7 450 МБ/с
4 ТБ: до 7 450 МБ/с
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ ЗАПИСЬ
1 ТБ: до 6 900 МБ/с
2 ТБ: до 6 900 МБ/с
4 ТБ: до 6 900 МБ/с
СЛУЧАЙНОЕ ЧТЕНИЕ (4KB, QD32)
1 ТБ: до 1 200 000 операций ввода-вывода в секунду
2 ТБ: до 1 400 000 операций ввода-вывода в секунду
4 ТБ: до 1 600 000 операций ввода-вывода в секунду
СЛУЧАЙНАЯ ЗАПИСЬ (4KB, QD32)
1 ТБ: до 1 550 000 операций ввода-вывода в секунду
2 ТБ: до 1 550 000 операций ввода-вывода в секунду
4 ТБ: до 1 550 000 операций ввода-вывода в секунду
СЛУЧАЙНОЕ ЧТЕНИЕ (4KB, QD1)
1 ТБ: до 22 000 операций ввода-вывода в секунду
2 ТБ: до 22 000 операций ввода-вывода в секунду
4 ТБ: до 22 000 операций ввода-вывода в секунду
СЛУЧАЙНАЯ ЗАПИСЬ (4KB, QD1)
1 ТБ: до 80 000 операций ввода-вывода в секунду
2 ТБ: до 80 000 операций ввода-вывода в секунду
4 ТБ: до 80 000 операций ввода-вывода в секунду

Окружающая среда

СРЕДНЕЕ ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ
СИСТЕМНЫЙ УРОВЕНЬ
1 ТБ: в среднем 5,4 Вт Максимум 7,8 Вт (в пакетном режиме)
2 ТБ: в среднем 5,5 Вт Максимум 8,5 Вт (в пакетном режиме)
4 ТБ: в среднем 6,5 Вт Максимум 8,6 Вт (в пакетном режиме)
ПОТРЕБЛЯЕМАЯ МОЩНОСТЬ (ХОЛОСТОЙ ХОД)
1 ТБ: макс. 50 мВт
2 ТБ: макс. 55 мВт
4 ТБ: макс. 55 мВт
ПОТРЕБЛЯЕМАЯ МОЩНОСТЬ (СПЯЩИЙ РЕЖИМ УСТРОЙСТВА)
1 ТБ: макс. 5 мВт
2 ТБ: макс. 5 мВт
4 ТБ: макс. 5,8 мВт
ДОПУСТИМОЕ НАПРЯЖЕНИЕ
3.3 В ± 5 % Допустимое напряжение
НАДЕЖНОСТЬ (MTBF)
Надежность в 1,5 млн часов (MTBF)
РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА
0 - 70 °C Рабочая температура
Шок
1 500 G и 0,5 мс (полусинусоида)