Твердотельный накопитель SSD 2TB Samsung 9100 PRO, M.2, PCI-E 5.0 x4, TLC 3D NAND (R14800/W13400MB/s) с радиатором 1200TBW

Предзаказ

Твердотельный накопитель SSD 2TB Samsung 9100 PRO, M.2, PCI-E 5.0 x4, TLC 3D NAND (R14800/W13400MB/s) с радиатором 1200TBW

Name: Твердотельный накопитель SSD 2TB Samsung 9100 PRO, M.2, PCI-E 5.0 x4, TLC 3D NAND (R14800/W13400MB/s) с радиатором 1200TBW
SKU: mz-vap2t0cw
Price: 32324.0 RUR
Availability: InStock

Цена:

В наличии на складе: 5 штук

В корзине шт Перейти

Нет в наличии

Купить в 1 клик

Встроенный твердотельный накопитель 9100 PRO PCIe 5.0 M.2 емкостью 2 ТБ, созданный с использованием технологии флэш-памяти V-NAND TLC и собственного контроллера, предлагает форм-фактор M.2 2280, интерфейс PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 и 2 ГБ кэш-памяти LPDDR4x для обеспечения скорости последовательного чтения до 14 700 МБ/с и скорости последовательной записи до 13 400 МБ/с. Совместимая с настольными компьютерами, ноутбуками и PlayStation 5, пользователи также получат доступ к шифрованию с помощью AES 256-bit, TCG/Opal 2.0 и MS eDrive, а рейтинг долговечности (TBW) 1200 ТБ и среднее время наработки на отказ 1,5 миллиона часов обеспечат длительный срок службы. Благодаря входящему в комплект радиатору этот твердотельный накопитель будет поддерживать низкую рабочую температуру даже при больших нагрузках.

Производительность готова к новой эре

Молниеносная скорость. Огромная емкость. Создано для искусственного интеллекта и не только. Благодаря скорости, в два раза превышающей скорость твердотельного накопителя 990 PRO и емкости хранилища 2 ТБ, Samsung 9100 PRO ускоряет рабочие нагрузки искусственного интеллекта, рендеринг видео 4K и игры.

Революционная производительность PCIe 5.0

Повысьте эффективность рабочего процесса и игр с помощью PCIe 5.0, который может похвастаться скоростью последовательного чтения до 14 700 МБ/с и скоростью последовательной записи до 13 400 МБ/с. Без особых усилий работайте с самыми тяжелыми файлами, от масштабных видеопроектов до редактирования изображений в высоком разрешении. Оцените невероятную скорость PCIe 5.0, которая в два раза выше, чем у твердотельного накопителя 990 PRO.

Любая задача, с турбонаддувом

Скорость за пределами допустимой производительности. Благодаря скорости произвольного чтения до 1 850 000 операций ввода-вывода в секунду и скорости случайной записи до 2 600 000 операций ввода-вывода в секунду вы сможете наслаждаться быстрой загрузкой игр, бесшовными приложениями искусственного интеллекта и эффективной многозадачностью. Практически никаких задержек и ограничений — только непрерывная производительность, которая обеспечивает беспроблемное создание контента с помощью искусственного интеллекта, быструю загрузку и плавный игровой процесс. Работайте, играйте и творите с молниеносной скоростью.

Разработано для совместимости, создано для скорости

Никаких барьеров, только действие. Объедините усилия с 9100 PRO на совместимом ПК, ноутбуке или PlayStation 5 и окунитесь в высочайшую производительность с интерфейсом PCIe 5.0. Сокрушите конкурентов и выйдите на первое место на любой арене.

Остается прохладным, работает быстро

Раздвигайте пределы, а не температуры. 5-нм контроллер повышает энергоэффективность по сравнению с твердотельным накопителем 990 PRO, а усовершенствованный термоконтроль обеспечивает плавную и надежную работу.

Компактная конструкция, везде поместиться

Модель 9100 PRO обеспечивает высочайшую скорость и память в низком профиле толщиной 0,35 дюйма, подходящую для совместимых ПК, ноутбуков и PlayStation 5, обеспечивая максимальную производительность без ущерба для пространства и эффективности.

Избавьтесь от ограничений на хранение

Расширьте свои игровые горизонты благодаря накопителю емкостью до 2 ТБ на 9100 PRO. Наслаждайтесь огромным пространством для расширения своей библиотеки игр, сохранения всех игр и сохранения всех ваших любимых игр без компромиссов. Раскройте весь свой игровой потенциал — храните, экономьте и побеждайте, как никогда раньше.

Работает как волшебство: Волшебное программное обеспечение

Это не фокус-покус. Ваш 9100 PRO работает как новый благодаря постоянно обновляемому программному обеспечению Magician. Получите простое обновление встроенного ПО, дополнительное шифрование и непрерывный мониторинг состояния диска — волшебная палочка не требуется.

Емкость хранилища 2 ТБ
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0
Последовательное чтение со скоростью до 14 700 МБ/с
Последовательная запись со скоростью до 13 400 МБ/с
2 ГБ кэш-памяти LPDDR4x
Долговечность (TBW): 1200 ТБ
Флэш-технология Samsung V-NAND TLC
Собственный контроллер Samsung
256-битное шифрование AES

Описание

Код модели (емкость)

MZ-VAP1T0BW (1 ТБ)
MZ-VAP2T0BW (2 ТБ)
MZ-VAP4T0BW (4 ТБ)
MZ-VAP8T0BW (8 ТБ)

Общая характеристика

Приложение
Клиентские ПК, PlayStation^®5
Формат
М.2 (2280)
ИНТЕРФЕЙС
PCIe^® 5.0 x4, NVMe^™ 2.0
РАЗМЕРЫ (ШхВхГ)
1 ТБ, 2 ТБ, 4 ТБ: 80,15 x 22,15 x 2,38 мм
8 ТБ: 80,15 x 22,15 x 3,88 мм
ВЕС
1 ТБ, 2 ТБ, 4 ТБ: макс. 9,0 г вес
8 тб: макс. 9,5 г
ЗАПОМИНАЮЩАЯ ПАМЯТЬ
Samsung V-NAND TLC
КОНТРОЛЛЕР
Собственный контроллер Samsung
КЭШ-ПАМЯТЬ
Samsung 1 ГБ памяти DDR4X SDRAM с низким энергопотреблением (1 ТБ)
Память DDR4X SDRAM 2 ГБ с низким энергопотреблением (2 ТБ)
Память DDR4X SDRAM Samsung 4 ГБ с низким энергопотреблением (4 ТБ)
Память DDR4X SDRAM 8 ГБ (8 ТБ)

Свойства

Поддержка TRIM
Поддержанный
Поддержка S.M.A.R.T
Поддержанный
GC (СБОРКА МУСОРА)
Алгоритм автоматической сборки мусора
ПОДДЕРЖКА ШИФРОВАНИЯ
256-битное шифрование AES (класс 0) TCG/Opal
IEEE1667 (зашифрованный диск)
ПОДДЕРЖКА WWN
Не поддерживается
ПОДДЕРЖКА СПЯЩЕГО РЕЖИМА УСТРОЙСТВА
Да

Производительность

ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ЧТЕНИЕ
1 ТБ: до 14 700 МБ/с
2 ТБ: до 14 700 МБ/с
4 ТБ: до 14 800 МБ/с
8 ТБ: до 14 800 МБ/с (TBD)
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ ЗАПИСЬ
1 ТБ: до 13 300 МБ/с
2 ТБ: до 13 400 МБ/с
4 ТБ: до 13 400 МБ/с
8 ТБ: до 13 400 МБ/с (TBD)
СЛУЧАЙНОЕ ЧТЕНИЕ (4KB, QD32)
1 ТБ: до 1 850 000 операций ввода-вывода в секунду
2 ТБ: до 1 850 000 операций ввода-вывода в секунду
4 ТБ: до 2 200 000 операций ввода-вывода в секунду
8 ТБ: до 2 200 000 операций ввода-вывода в секунду (TBD)
СЛУЧАЙНАЯ ЗАПИСЬ (4KB, QD32)
1 ТБ: до 2 600 000 операций ввода-вывода в секунду
2 ТБ: до 2 600 000 операций ввода-вывода в секунду
4 ТБ: до 2 600 000 операций ввода-вывода в секунду
8 ТБ: до 2 600 000 операций ввода-вывода в секунду (TBD)

Окружающая среда

СРЕДНЕЕ ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ
(СИСТЕМНЫЙ УРОВЕНЬ)
1 ТБ: в среднем 7,6 Вт Максимум 7,2 Вт (в режиме серийной съемки)
2 ТБ: в среднем 8,1 Вт Максимум 7,9 Вт (в режиме серийной съемки)
4 ТБ: в среднем 9 Вт Максимум 8,2 Вт (в пакетном режиме)
ПОТРЕБЛЯЕМАЯ МОЩНОСТЬ (ХОЛОСТОЙ ХОД)
1 ТБ: макс. 4 мВт
2 ТБ: макс. 4,8 мВт
4 ТБ: макс. 6,5 мВт
ПОТРЕБЛЯЕМАЯ МОЩНОСТЬ (СПЯЩИЙ РЕЖИМ УСТРОЙСТВА)
1 ТБ: макс. 3,3 мВт
2 ТБ: макс. 4 мВт
4 ТБ: макс. 5,7 мВт
ДОПУСТИМОЕ НАПРЯЖЕНИЕ
3.3 В ± 5 % Допустимое напряжение
НАДЕЖНОСТЬ (MTBF)
Надежность в 1,5 млн часов (MTBF)
РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА
0 - 70 °C Рабочая температура
Шок
1 500 G и 0,5 мс (полусинусоида)